Требуются технические решения по доставке геофизического оборудования к горизонтальному участку скважины для ГИС ГИС с помощью электроцентробежного насоса (ЭЦН).Существующая технология Y-tool позволяет опускать геофизическое оборудование в систему гибких насосно-компрессорных труб, тем самым минуя систему ЭЦН в непосредственной близости от режима работы скважины, но это увеличивает стоимость заканчивания скважины на 25%.

Наряду с традиционными методами каротажа в горизонтальных скважинах, такими как каротаж PLT, нефтедобывающие компании все чаще начинают применять инновационные методы, основанные на маркерных технологиях. В этом методе используются индикаторы потока, которые могут отслеживать поток каждой фазы в скважину отдельно и непрерывно в течение нескольких лет.Целью данной статьи является описание результатов использования метода флуоресцентных микросфер с учетом их многолетнего использования для оценки структуры притока из каждого порта ГРП в горизонтальных скважинах. Это помогает пользователям избежать рискованных и дорогостоящих скважинных операций на стадии опытно-промышленной разработки.

Маркеры представляют собой монодисперсные полимерные сферы, содержащие свой уникальный код для каждой стадии гидроразрыва пласта. При наличии потока воды или нефти по поверхности проппанта высвобождаются только маркеры, соответствующие их фазе.По окончании всех работ в скважине ее переводят в плановый режим работы. После этого производится отбор пластового флюида с устья скважины. Специализированная лаборатория анализирует образцы, чтобы определить концентрацию маркеров для каждого кода.

Каротаж скважины с нанесением маркированного проппанта ведется непрерывно в течение нескольких лет. Профили притока пластового флюида вдоль горизонтальной скважины были спроектированы на основе данных, полученных путем аналитического сравнения.Долгосрочный каротаж продукции позволит провести долгосрочный анализ эффективности стимуляции для каждой из стадий гидроразрыва пласта и поможет в оценке запасов секции коллектора.

Одним из основных преимуществ данной технологии по сравнению с традиционными методами является возможность получения данных о работе интервалов без необходимости использования специальных средств доставки приборов. В результате технология сводит к минимуму риск застревания скважинного оборудования и не допускает неоднозначности при интерпретации данных.Технология каротажа производства маркеров получила подтверждение на рынке благодаря своим характеристикам. Размещение индикаторов притока производилось в трещинах ГРП, что обеспечивало длительное избирательное взаимодействие маркерных частиц с водной и нефтяной фазами пластового флюида. Информация о профиле притока, полученная в результате анализа, позволяет планировать эффективные геолого-технические мероприятия и приводит к увеличению коэффициента извлечения углеводородов.

Принципы работы, дизайн, формулы и приложения: Розанов, Юрий, Рывкин, Сергей Е., Чаплыгин, Евгений, Воронин, Павел: 9781482298796: Amazon.com: Книги

«… ценно для каждого студента или аспиранта , практикующий инженер или техник, отраслевой профессионал, исследователь и академик, желающие изучать широкую область силовой электроники. Он предлагает прочную основу для лежащей в основе теории, а также делает обзор последних тенденций в преобразователях и методах управления силовой электроники. промышленность.Книга также является фундаментальной для профессоров и преподавателей силовой электроники, служа учебником для студентов бакалавриата и моделью для более продвинутых курсов ».
―Фернандо А. Силва, Instituto Superior Técnico, Universidade de Lisboa, Portugal, из IEEE Industrial Electronics Magazine , декабрь 2015 г.

«… очень хорошее руководство для инженеров и исследователей, в котором они могут найти основные особенности силовой электроники, ее преимущества и недостатки. … очень полезно. … дает читателям базовые знания, необходимые для полного использования потенциала силовой электроники. … Авторы — квалифицированные специалисты в своей области. … Эта ясная, интегрированная презентация, привлекающая внимание к основным характеристикам силовой электроники, может служить хорошим инструментом в обучении силовой электронике ».
―Вадим Уткин, научный сотрудник и профессор IEEE, Государственный университет Огайо, Колумбус, США, из Российская электротехника , 2015

«… отличный справочник по силовой электронике.Он содержит всесторонний и актуальный обзор как строительных блоков, так и топологий преобразователя. Книга уникальна тем, что связывает ее основную часть силовой электроники с конкретными методами управления, а также с конкретными приложениями. Такой подход помогает любому, кто не имеет прямого опыта в этой области, понять силовую электронику в контексте ее типичного использования. Тогда инженеры по управлению смогут лучше понять особенности и ограничения конкретных методов управления, касающихся переключателей питания.Наконец, для студентов университетов эта книга также должна быть указателем, указывающим на дополнительные темы, которые не могут быть предметом обычного обучения по причинам времени, и должна передавать студентам общую картину ».
―Станислав Флигль, Чешский технический университет в Праге, Чешская Республика

«Читатели поймут логическую конфигурацию силовой электроники… потому что базовая теория подробно объясняется, а затем на основе этих базовых знаний показаны характеристики преобразователей и инверторов.«
―Fujio Kurokawa, Nagasaki University, Japan

»… Все аспекты, связанные с силовой электроникой, представлены кратко и лаконично, охватывая широкий круг тем этого междисциплинарного предмета, который является результатом пересечения теории цепей и теории управления , с Power Semiconductor Devices and Magnetics… сила книги заключается в ее способности к синтезу для описания основных характеристик силовых полупроводников и методов управления ».
―Луис Мартинес-Саламеро, Университет Ровира и Вирджили, Испания

Основы силовой электроники — Розанов Юрий; Рывкин Сергей Э.; Чаплыгин Евгений; Воронин Павел | Libro Crc Press 05/2015

Юрий Розанов получил степень доктора технических наук в области электромеханической инженерии и доктора технических наук в Национальном исследовательском университете «Московский энергетический институт», Россия, где в настоящее время является профессором кафедры электрических и электронных аппаратов. Ранее доктор Розанов занимал должность начальника того же отдела и работал в электротехнической отрасли на различных должностях от инженера до заместителя главного конструктора.Автор семи книг, более 160 статей и 24 патентов, удостоен престижного звания Заслуженный деятель науки Российской Федерации, получил премию Правительства Российской Федерации в области науки (2001 г.) и образования (2005 г.). Он является научным сотрудником IEEE и председателем российского отделения IEEE PEL / PES / IES / IAS, а также главным редактором журнала «Российская электротехника». Сергей Рывкин с отличием окончил Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет) по специальности инженер, защитил кандидатскую диссертацию.D Института проблем управления Российской академии наук (ИКС РАН), Москва, и была удостоена степени доктора наук Высшей аттестационной комиссии Министерства образования и науки России, Москва. В настоящее время он является профессором Национального исследовательского университета «Московский энергетический институт», Россия, и главным научным сотрудником ИВН РАН. Доктор Рывкин имеет шесть патентов и опубликовал семь книг и более 130 технических статей. Он является старшим членом IEEE, действительным членом Российской академии электротехнических наук и Совета по силовой электронике и управлению движением, заместителем главного редактора журнала «Российская электротехника» и членом редакционной коллегии нескольких международных журналов.Евгений Чаплыгин окончил Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт» (МЭИ), Россия, и получил степень кандидата технических наук в области силовой электроники. В настоящее время он является профессором кафедры промышленной электроники МЭИ, где под его руководством 11 студентов получили степень магистра. Доктор Чаплыгин запатентовал 70 изобретений и опубликовал три книги и более 100 статей. Он является членом Ученого совета Института радиоэлектроники МЭИ и членом редколлегии журнала «Российская электротехника».Сферы его интересов включают моделирование силовых электронных устройств, улучшение конвертеров валюты и электросети, а также повышение качества электроэнергии с помощью силовой электроники. Павел Воронин получил докторскую степень в области электротехники и докторскую степень в области силовой электроники в Национальном исследовательском университете «Московский энергетический институт», Россия, где в настоящее время является доцентом кафедры промышленной электроники. Ранее он работал ассистентом в том же отделе.Он опубликовал более 70 статей, две книги и 31 патент в области силовой электроники. Сфера его интересов: преобразователи мощности, многоуровневые инверторы, схемы с мягкой коммутацией и компьютерное моделирование силовых электронных устройств.

Обучение и воспитание детей

Если детские песенки, чтение книг, кубики и другие бабушкины приемы надоедают, попробуйте один из этих способов.

Ни для кого не секрет, что развивать ребенка стоит с самого раннего возраста.Мама должна все время разговаривать с малышом, объяснять, читать и петь. Всего этого достаточно, чтобы малыш вырос и узнал новое.

Однако сейчас широкую популярность приобрели многие новые техники. Разберем самые интересные из них внимательнее.

1. Система Монтессори

На данный момент это один из самых популярных методов в мире; По нему работают многие детские образовательные учреждения. В основе системы Монтессори лежит принцип: каждый ребенок — это человек, который развивается по определенному пути.«Помоги мне сделать это самому» — главный девиз метода. Здесь ребенка никогда не критикуют, он сам должен догадываться, что ошибался. В группах есть огромное количество разнообразных игрушек, с помощью которых малыш узнает о цвете, форме и других свойствах предметов.

Однако методика не предполагает ролевой игры и творческого развития. А позволить ребенку самому решать, когда и что развиваться, — спорное утверждение.

2. Техника Николая Зайцева

Это вторая по популярности система развития детей младшего возраста.В его основе лежит игра с кубиками, с помощью которой ребенок легко осваивает чтение и математику. Кубики различаются по размеру, цвету и качеству и издают разные звуки. Обучение с помощью кубиков проходит в игровой форме, а дети бегают, танцуют и поют.

Недостаток методики в том, что не происходит развития мелкой моторики. Часто при поступлении в школу детей приходится «переучивать».

3. Вальдорфская педагогика

Суть этой методики в том, что детям не нужно расти раньше времени, они должны развиваться творчески, а не интеллектуально.Ребенка здесь не заставляют ничего делать, не заставляют рано учиться писать и читать. Игрушки простые, изготовлены из натуральных материалов. Никаких вредных пластиковых игрушек и модных кукол в модной одежде. Ребенок рисует, поет, танцует, выращивает овощи, по традициям готовится к многочисленным праздникам. ТВ под запретом.

Обратной стороной является то, что ребенок поздно осваивает счет, письмо и другие необходимые навыки. Также настораживает религиозная и мистическая составляющая тренировок.

4. Система Никитина

Здесь главное — свобода действий ребенка, раннее интеллектуальное и физическое развитие. Вы не можете ограничивать своего ребенка рамками и правилами, вам не нужно заставлять его делать то, к чему он еще не готов. Ребенку не рекомендуется помогать, он должен все осваивать сам. Бежать босиком по снегу, подтягиваться на домашнем тренажере, а потом садиться решать головоломки и задачи с помощью кубиков — вот суть системы Никитина.

Однако система подразумевает развитие ребенка только в стенах собственного дома. На творчество здесь не обращают внимания, а закалка бывает жесткой.

5. Метод Глена Домана

В основе методики лежит раннее интеллектуальное развитие детей с помощью карточек. На них изображены предметы на разные темы, наборы чисел и слова. Показывать карты малышам рекомендуется, начиная с рождения, таким образом, как бы нагружая мозг информацией.Также в этой методике уделяется внимание физическому развитию ребенка — есть регулярные несложные упражнения.

Минусы в том, что ребенок запоминает не буквы, а слова в целом. Обладая огромным багажом знаний, ему иногда сложно выполнить элементарное задание, а от переизбытка информации может случиться нервный срыв.

Молодой маме легко запутаться в популярных методах развития малыша. Краткое описание поможет разобраться, что к чему, и выбрать те приемы, которые подходят вашему ребенку.

1. Система Ховарда
Метод также называют «английский — мой второй язык». Во время занятий учитель или мама разговаривает с малышом исключительно на английском языке, но оценки не ставятся. Также большое внимание уделяется формированию характера ребенка, особенно поощряется его самостоятельная работа над собой. Пока ребенок не усвоит материал, не переходят к новому.

2. Методика Марии Монтессори
Одна из самых популярных.Система состоит из трех частей: ребенок, среда, учитель. В центре всей системы находится ребенок. Вокруг него создается особая среда, в которой он живет и учится самостоятельно. Постулат системы Монтессори — наблюдение за ребенком и невмешательство в его дела, если ребенок сам этого не просит.

3. Музыка интеллекта
Автор методики Алиса Самбурская считает, что музыка влияет не только на духовное развитие ребенка, но и на физическое (регулирует артериальное давление, мышечный тонус, стимулирует процессы восприятия. и память; активизирует творческое мышление и др.). Методика подходит абсолютно всем детям вне зависимости от их способностей. Он заключается в том, что любая образовательная деятельность ребенка сопровождается специально подобранной музыкой.

4. Система Геныша
Основана на развитии логического мышления. Разработанные автором игры способствуют развитию логического мышления, комбинаторики, аналитических способностей, формируют навыки, необходимые для решения логических задач.

5.Система Глена Домана
Развивая ребенка одновременно и всесторонне (чтение, письмо, энциклопедические знания и т. Д.) Даже в течение первого года жизни, вы можете сделать очень серьезный резерв на всю его будущую жизнь, — говорит Доман. Методика, безусловно, эффективна, и если вы хотите воспитать нобелевского лауреата, то это находка для вас. Главный минус: творческому развитию ребенка почти не уделяется внимания.

6. Методика Николая Зайцева
Методика раннего обучения чтению.В технике используется «складской принцип» (не путать со слогами). Его самые известные учебники — «Кубики Зайцева». Весь материал представлен в игровой форме.

7. Методика Никитина
Предпосылкой для создания методики Бориса и Лены Никитиных были частые соматические заболевания собственных детей, поэтому изначально в методике большое внимание уделяется физическому развитию. К достоинствам методики можно отнести также позицию естественного усвоения знаний, отказ «обучать» детей.

8. Система Makado Shichida
Одна из самых популярных в Японии. Макато Шичида считает, что все дети рождаются с уникальными природными способностями, которые можно легко развить с помощью специальных методов обучения, направленных на развитие фотографической памяти.

9. Техника Сесиль Лупан
Метод Лупан родился из ее попыток рассказать дочерей о Домане. В отличие от Домана, Сесиль становится все более тонкой и индивидуальной, определенные приемы раннего развития она связывает с возникновением интереса к ребенку.Ее самая известная книга — «Верь в своего ребенка» — написана очень доступно. Ознакомившись с методикой, родители без труда могут самостоятельно заняться re Benck.

10. Рисунок груди Марии Гмошинской
Грудное творчество — это рисование красками ребенка с 6 месяцев. Техника рисования — пальцы, ладони. Малыш может работать как правой, так и левой рукой. Методика развивает интеллект и творческие способности ребенка.

Каждый маленький человечек с рождения наделен огромным потенциалом.Именно в первые годы жизни формируется большая часть его будущих навыков и способностей, поэтому раннее начало обучения поможет избежать проблем с обучением в будущем.

Учеными доказано, что малыша в возрасте 3-4 лет учить намного легче, чем семилетнего. В Институте Домана утверждали, что использование метода развития ребенка во время роста мозга наиболее эффективно.

Активное обучение, которое начинается почти в младенчестве, является сутью всех методов раннего развития, разработанных некоторыми выдающимися педагогами.

Большинство этих работ научно подтверждено и часто используется родителями и учителями. Чтобы выбрать метод развития малыша, нужно вкратце ознакомиться с каждым из них и выбрать лучший для своего ребенка. Правильный выбор поможет раскрыть заложенный в генах потенциал ребенка, всесторонне развить и подготовить ребенка к дальнейшей жизни.

Карты Домана

Система, изобретенная американским врачом Гленом Доманом, изначально предназначалась для детей с задержкой развития.Заметив хороший результат, он решил попробовать заниматься со здоровыми детьми, что в итоге принесло еще лучшие результаты. Применять данную методику можно для развития детей до года, оптимальный старт занятий с 6 месяцев.

В системе есть несколько направлений:

• интеллектуальное развитие — математика и чтение;
• восприятие и творчество — работа с цветами, оттенками;
• персонаж, воспитание;
• знаний об окружающем мире.

Доман утверждал, что все знания основаны на фактах. Чем больше они заложены в сознании человека, тем шире база его знаний. Усвоение младенцем реальных фактов приводит к стимуляции его мозговой деятельности и развитию интеллекта. Маленькие дети очень быстро и легко усваивают новую информацию, поэтому ее нужно преподносить правильно, ясно и систематично.

Основной учебный материал — карточки с картинками на одной стороне и точной информацией на другой.Занятия проводят близкие ребенку люди — мама, папа, бабушка. И у малыша, и у воспитателя должно быть хорошее настроение. Все действия выполняются в игровой форме.

Карточки показываются по одной в течение 3-5 секунд, чтобы ребенок внимательно слушал. Более длительный просмотр карты может привести к потере интереса.

После каждого «урока» ребенка нужно хвалить, чтобы мотивировать его к новым знаниям и достижениям. Занятия нужно повторять 3 раза в день, они должны быть короткими, чтобы не переутомлять малыша.Материалы необходимо ежедневно обновлять несколькими новыми картинками. Залог успеха — регулярность и последовательность занятий.

Методика Домана способствует всестороннему развитию малыша, положительно влияет на его интеллект и память. Возможность практиковаться практически с самого начала дает отличный старт мозговой деятельности и закладывает прочный фундамент для успешного обучения ребенка в будущем.

Техника Марии Монтессори

Всемирно известный итальянский педагог и врач Мария Монтессори создала оригинальную и очень эффективную методику раннего развития детей от 0 до 3 лет и старше.Лучше всего начинать занятия с детей с 8-10 месяцев.

Основа методики — свобода ребенка.

Девиз системы: «Помогите мне сделать это сам».

Главный принцип независимость ребенка.

Учитель или родители должны устанавливать порядок, показывать, объяснять и наблюдать, не мешая выполнению задания самого ребенка, в его собственном темпе. Методика выделяет возрастную чувствительность в процессе роста и развития малыша, называемые чувствительными периодами, в соответствии с которыми следует проводить тренировки.

Система заключается в создании вокруг ребенка среды, в которой он может найти все необходимое для саморазвития и самообучения. Ведь именно из окружающего мира малыш впитывает правильные способы поведения, физического взаимодействия и эмоциональной реакции. Этот метод развития ребенка предполагает наличие практических материалов для улучшения имеющихся навыков и обучения новым. В материале инкрустации, наборы для творчества, игрушки на шнуровке и застежках, геометрические фигуры, буквы из грубой бумаги и многое другое.

Сегодня во многих городах есть детские сады и группы раннего развития, где детей учат по методу Монтессори. Если вы планируете отдать малыша в такой детский сад, то узнайте, входит ли он в Ассоциацию учителей Монтессори и как проводятся занятия с детьми. Здесь создана соответствующая среда, есть все необходимые предметы, материалы и инструкции. Подход к каждому ребенку индивидуален. Такую же среду можно создать и дома, чтобы у матери была возможность самостоятельно заниматься с младенцем.

Система Монтессори помогает вашему малышу стать более внимательным, независимым и уверенным в себе. Развивает моторику, сенсорное восприятие, память, воображение, образное, логическое и творческое мышление. Ребенок раскрывает свой внутренний потенциал, проявляет индивидуальные способности. При этом он становится человеком, со своим, никем не навязываемым мнением и взглядами на жизнь.

Кубики Зайцева

Педагог Николай Зайцев разработал методику развития дошкольников от 3 до 7 лет, которая называется «Кубики Зайцева».По этой системе можно работать с маленькими детьми, от 1,5 до 2 лет.

Метод разработки основан на наглядных пособиях. Это разные кубики, планшеты, открытки, песни. Кубики различаются между собой по цвету, размеру и звукам, которые они издают. На каждом лице написаны слоги, и ничего больше. Теория склада обучения чтению дает гораздо лучший результат, чем если бы вы сначала начали усваивать буквы, затем научились складывать их в слоги, а затем в слова.

Звук кубиков помогает научиться различать гласные и согласные, мягкие и звонкие звуки, облегчая ребенку обучение чтению.Слоги выучить легче, чем буквы, несмотря на то, что их намного больше. Отсутствие других изображений связано с тем, что в обычной азбуке малышей могут отвлекать красочные картинки, вызывающие ненужные ассоциации.

Материал должен быть представлен в игровой форме. Заниматься с ребенком нужно регулярно, системно, всячески пробуждая у него интерес на занятиях. Когда малыш усвоит слоги, можно постепенно переводить навык чтения в письмо.

Дети, которые учатся читать по методике Зайцева, показывают отличные результаты к 3–4 годам. Основными преимуществами данной системы, помимо обучения чтению, является развитие логического мышления, расширение словарного запаса, отсутствие логопедических дефектов. В дальнейшем ребенок будет грамотно говорить и писать.

Помимо вышеперечисленного, существует множество других методов развития детей от года до года, от 3 лет и так далее.Они имеют определенную направленность и всесторонне развиваются. Помимо интеллектуальных, следует помнить о физическом развитии малыша. Например, водить ребенка в бассейн или танцевать.

Каждый малыш индивидуален, поэтому родителям следует выбирать систему, наиболее подходящую его характеру и темпераменту.

Также выбор зависит от того, чему вы хотите его научить. Но помните, какую бы технику вы ни практиковали, она обязательно даст хороший результат и поможет вашему ребенку в будущем.

Практически все родители стремятся развивать своего ребенка буквально с пеленок. И они правы, поскольку ученые считают, что пик развития умственных и творческих способностей приходится на 1,5-3 года. Именно в этом возрасте занятия с ребенком наиболее эффективны. Существуют различные техники раннего развития ребенка. Давайте рассмотрим плюсы и минусы самых популярных методик.

1. Главный принцип системы Марии Монтессори — уверенность в том, что ребенок сам знает, в каком направлении двигаться.Задача, которую решает данная методика — создание благоприятных условий для саморазвития ребенка. Роль родителя или воспитателя — организовать развивающую среду с помощью специальных материалов. Пособия раскрывают ребенку представления о сенсорных стандартах (цвет, форма, размер) и устройстве окружающего мира. Недостаток этой методики: отсутствие ролевых и спонтанных игр. Этот метод раннего развития ребенка больше всего подходит для усидчивых, «вдумчивых» детей, способных долго концентрироваться на предмете.

2. Кубики Зайцева помогают обучать чтению детей от 2 лет. Они также подходят для детей с умственной отсталостью, детей с психоневрологическими проблемами и аутичных людей. Обучение происходит с помощью кубиков, таблиц и нот, под которые ребенок поет «склады» — части слова. Это улучшает качество речи, расширяет словарный запас. Но есть и противники этого метода раннего развития. Специалисты считают, что такое обучение мешает ребенку в школе освоить разбор слов по составу и фонетический разбор слов.

3. Система Никитина — это комплекс спортивно-развивающих заданий, упорядоченных по возрастающей сложности. Взрослый не должен предоставлять способ решения поставленных задач. Если ребенок не справляется, задание откладывается до тех пор, пока он не вырастет. Преимущество системы в том, что она позволяет рационально организовать свое время, способствует закаливанию и спортивной тренировке детей. Минус: отсутствие индивидуального подхода и недостаточное внимание к развитию речи и ролевой игры.

4. Методика Гленна Домана разработана автором для детей с поражением центральной нервной системы. Основополагающий принцип — стимуляция клеток мозга с помощью внешних раздражителей. Ребенку в течение 1-2 секунд показывают карточки с изображением и названием различных предметов. Считается, что ребенок подсознательно их запоминает и может запомнить большой объем информации. Недостатком этого метода раннего развития является то, что большой объем информации может нанести вред детской психике.

5. Методика Сесиль Лупан связывает обучение и развитие ребенка с возникновением у него интереса к окружающему миру. Они стараются дать детям именно эти знания и в тот момент, когда они этого хотят. Метод опробован автором на своих детях, поэтому она становится все более тонкой и индивидуальной. Большой плюс в том, что то, что есть под рукой, используется для тренировок, никаких специальных средств не требуется. Ее настойчивые рекомендации научить ребенка плавать с подгузника могут быть проблематичными для родителей.

Заниматься малышом обязательно, но стоит разобраться в плюсах и минусах каждого метода раннего развития ребенка с учетом его индивидуальности.

Методы ранней разработки

47921

Во-первых, о том, что мы подразумеваем под термином «раннее развитие». в данном случае это занятия по разным авторским методикам, которые направлены на опережающее обучение, об этом говорит и девиз методик: (Тюленев П.В.), «Математика с пеленок» (А.А. Маниченко), (масару ибука).

Итак, пытаемся найти технику. Сразу оговоримся — идеального способа разработки не существует! потому что все родители разные и все дети разные. то, что нравится и подходит одним, совсем не устраивает и не устраивает других. Более того, ни одна система не дает 100% всестороннего развития, поэтому, увлекаясь какой-либо системой, не следует забывать о развитии «западных» направлений. так, например, большинство методов не влияют на развитие (а, как известно, движение — это жизнь) и, что наряду с дошкольным периодом, является ведущим.

среда разработки марии монтессори
это
принцип: следить за ребенком и помогать ему все делать сам.
направления: развитие интеллекта, логического мышления, практических навыков и самостоятельности с помощью пяти зон развития: повседневная жизнь, сенсорное воспитание (развитие органов чувств), математика, родной язык, окружающий мир.
что вам нужно? развитие ребенка происходит благодаря специально подготовленной дидактической среде и уникальным материалам, разработанным Марией Монтессори.денежные затраты потребуются, так как материалов много и они дорогие. хотя, по мнению приверженцев авторской системы, подойдут и самодельные мануалы, и любые предметы обихода (таз, сито, стакан, губка, вода и т. д.).
как это сделать. ребенок развивается благодаря окружающей его развивающей среде. все материалы должны быть в свободном доступе. ребенок сам выбирает, чем хочет заниматься. например, он подходит к «розовой башне». если ребенок никогда раньше не выбирал это пособие, то взрослый пытается заинтересовать его и показать возможные способы игры.затем ребенок методом проб и ошибок самостоятельно играет с «розовой башней». после окончания игры пособие снимается ребенком. взрослому необходимо отслеживать изменения в интересах ребенка и своевременно организовывать соответствующую дидактическую среду. например, ребенок увлекся. это сигнал для взрослого: пора дополнить математическую зону счетным материалом (всевозможные грибы, палочки, кубики), карточками и плакатами с числами и т. д.
кому подходит: прилежных детей от 1,5 до 7 лет (хотя Монтессори разработала свою систему для детей от трех лет), склонных к конструированию, любящих что-то разбирать, собирать и разбирать. и внимательные, любящие порядок во всем, родители, у которых мало свободного времени.
мест. в системе не предусмотрен, а. Нет места
как можно приспособиться. развивающая среда — это всегда хорошо. и не обязательно заполнять его только материалами Монтессори — подойдут любые развивающие игрушки.Хотя некоторые материалы, разработанные автором методики, можно купить, они действительно уникальны и интересны. Другой вариант — посетить с ребенком детский центр, в котором, по словам Марии Монтессори, представлены все пять зон развития.

карточки Домана-Маниченко
был разработан американским нейрофизиологом Гленом Доманом. российский педагог-психолог Андрей Александрович Маниченко адаптировал и улучшил его для русскоязычных детей.
принцип: в любом ребенке скрыт огромный потенциал, который нужно начинать развивать как можно раньше.
направления: интенсивное физическое и интеллектуальное развитие детей с рождения практически по всем направлениям: чтение и речь, математика и логика, английский язык, окружающий мир, творчество, обучение со сказкой.
что вам нужно? цель уроков по доману — познакомить ребенка с множеством понятий, систематизированных по разделам (блюда, города, птицы и т. Д.). Доман предлагает, где размещаются изображения предметов, чисел или слов.
как это сделать. несколько раз в день нужно в быстром темпе показать ребенку серию карточек и назвать то, что на них изображено. При этом карточки ни в коем случае нельзя давать ребенку в руки, иначе он потеряет к ним интерес. каждый раз выбор карт необходимо обновлять (доман разработал специальную систему замены старых карт на новые).
мест. Система Домана-Маниченко — одна из самых противоречивых систем раннего развития.
Предложенный авторами способ показа карточек противоречит форме мышления маленького ребенка.Задача малыша — познавать мир всеми органами чувств, и в первую очередь через тактильные каналы. Методика Домана-Маниченко предлагает знакомить ребенка с виртуальным миром карт только через зрительный и слуховой анализаторы.
из-за пассивной подачи материала притупляются любопытство, инициативность, эмоциональность и креативность ребенка.
маленький ребенок быстро запоминает материал, но, не имея возможности применить полученные знания на практике, так же быстро забывает их.
Обилие полученной информации может перегрузить и истощить нервную систему ребенка.
кто подходит: высокоорганизованные родители, которые выступают за «раннее обучение», которые хотят расширить свой кругозор вместе со своим ребенком; и дети с сильной нервной системой, которым интересно разглядывать карты.
как можно адаптироваться. можно купить несколько наборов карточек для общего развития и спокойно смотреть их с ребенком, обсуждать, сравнивать с реальными предметами, придумывать игры с ними (хотя сейчас на сайте «Умница» есть учебные пособия с готовыми игры для занятий с детьми).

игры и упражнения сесиль лупан
последователь метода Глена Домана, который творчески переработал и адаптировал свою методику, привнеся в нее эмоции и развлечения.
принцип: обучение должно доставлять удовольствие ребенку и его родителям. и детям должно быть легко и интересно учиться.
направления: развитие общения с ребенком, физическая активность, речь и стихи, чтение и письмо, иностранные языки, логика и счет, история, география, история искусства и рисование, музыка, плавание, верховая езда, спорт.
что вам нужно? считал, что с ребенком нужно быть «на одной волне», давая ему то, что ему сейчас нужно больше всего: возможность расслабиться, погулять, поиграть или чему-то научиться.
она разработала, направлена ​​на естественное и разностороннее развитие детей и описала их в книге «Верь в своего ребенка». книгу можно читать и использовать в классе с ребенком.
который подходит: всем любящим родителям, желающим расширить «репертуар» занятий, и их детям от рождения до 7 лет.
как можно адаптироваться. Сама Сесиль Лупан дает совет по этому поводу: «Нет смысла следовать абсолютно всем советам и выполнять все упражнения, которые я разработала, так как то, что подходит одному ребенку, может оказаться совершенно неподходящим для другого». золотые слова!

Кубики Зайцева
принцип: ребенок начинает знакомиться сразу со всеми кладезями русского языка. склад — это не слог, к которому мы привыкли, а единица для чтения части слова, представляющей собой сочетание согласной и гласной буквы, а также любой отдельной буквы (ла-м-па — 3 склада , эк-ра-н — 4 склада).
направление: .
что вам нужно? нужно купить (все они разные — по размеру, звуку, цвету), настенные столы, диски с песнями, учебное пособие. и сделай это. для этого ребенку необязательно знать названия букв (это даже вредно). он сразу научится петь склад. петь — потому что «научиться читать с пением намного эффективнее». И еще: автор методики считает, что начинать нужно с написания слов, а не с чтения.поэтому на начальном этапе ребенок будет составлять из кубиков близкие ему слова: мама, папа, каша, домик, а уже потом научится их читать, а точнее петь.
мест. в школе у ​​детей из-за отсутствия отработки буквенного состава слова могут возникнуть проблемы с написанием слов, кроме того, им придется переучивать ребенка с «складов» на «слоги».
кому подходит. высокоорганизованных родителей, которые хотят научить своего ребенка читать как можно раньше, и детей от 2 до 7 лет, которые умеют бережно обращаться с дорогими учебниками.
как можно адаптироваться. ну если только из кубиков строить башни, стены и замки. хотя кубики Зайцева можно использовать как дополнительное пособие на начальном этапе обучения чтению. просто попробуйте предложить для чтения и составления слов из открытых слогов: молодой, зимний, вода и т.д.

динамических кубика евгений чаплыгин
— последователь методики Зайцева. он развит, благодаря чему ребенок приобретает навыки чтения. в наборе кубиков намного меньше (20 штук — 10 одинарных и 10 двойных), чем в наборе Зацева.Двойные кубики Чаплыгина вращаются вокруг своей оси и из одного блока можно составить 32 (!) Слога.
Чаплыгин не остановился на чтении кубиков, а разработал математический, направленный на приобретение навыка словесного счета до ста и умения решать числовые выражения.
кубиков и домино рекомендованы для детей от трех лет.
На данный момент Чаплыгин продал свои права на кубики Андрею Маниченко (компания «Умный»).

музыкальные диски утюг
Екатерина и Сергей Железновы разработали методику раннего музыкального развития.в репертуаре утюга — диски с колыбельными, детские стишки, пальчиковые игры, подвижные игры, театрализованные песни, подражательные игры, сказки, игровые массажи, музыкальные сказки, аэробика, коммуникативные игры, английские песни и стихи, изучение алфавита, научиться считать и читать, играть на музыкальных инструментах и ​​многое другое. доктор
техника подходит всем: музыка и движение никому не навредят.

сказочные партии Воскобовича
Вячеслав Воскобович разработал — конструкторы и пазлы, которые он сопровождал сказочными рассказами.Таким образом, ребенок будет не просто играть с инструкциями, но и помогать маленькому геогерою или оживлять квадрат, превращая его в домик, ёжика или лодку.
Самыми известными играми являются «геоконт», «квадрат воскобовича», «волшебная восьмерка» (заучивание чисел), «конструктор букв» (заучивание букв), «складки» (обучение чтению).
Игры Воскобовича развивают дизайнерские навыки, пространственное мышление, внимание, память, творческое воображение, мелкая моторика, способность сравнивать, анализировать и противопоставлять … Есть также более сложные игры, которые учат детей моделировать, соотносить части и целое.
Игры Воскобовича недешевые, но при желании можно купить одну-две. одной игры вашему ребенку хватит надолго. Поскольку в руководствах есть несколько уровней сложности, они могут постепенно усложняться за счет большего разнообразия игровых задач. подходит для детей от 2 до 7 лет (хотя можно и постарше).

никитин развивающие игры
Борис и Елена Никитины вырастили семерых детей и создали собственную систему, которая заключается в естественном развитии, оздоровлении, формировании творческих способностей, трудовых навыков и развитии природных данных.Никитины считали, что родители должны принимать активное участие в детских играх и занятиях, поощряя при этом желание детей самостоятельно мыслить и принимать решения. Надо сказать, что в советское время это произвело фурор. хотя в наше время многие семьи придерживаются схожих принципов развития и воспитания, даже не подозревая о «пионерах».
Изобретен Борис Никитин, направленный на развитие творческих способностей и логического мышления. он также разработал правила освоения этих игр, главное из которых — не показывать, как должно быть.малыш должен сам разобраться в игре от начала до конца.
Самые популярные игры Никитина: «рамки и вставки», «складной квадрат» и другие. вся семья может играть в эти игры. получить массу положительных эмоций.

логических блоков генеш
— это 48 геометрических фигур разного размера, толщины и цвета. выполняя различные предметные действия с блоками (группировка по признаку, выявление лишней фигуры в ряду, раскладывание фигур по заданному алгоритму), у детей развивается логическое и аналитическое мышление (анализ, сравнение, классификация, обобщение), творческие способности, а также восприятие, память, внимание и воображение.набор диеновых блоков содержит инструкции с примерами игр. Кроме того, вы можете приобрести логические диенеш-блоки, на страницах которых малыш сможет создавать предустановленные дизайны. Блоки диенеш предназначены для детей 3-7 лет (но можно начинать заниматься и в более раннем возрасте).

цветные счетные палочки кюйсенер
Палочки Кюизенера — четырехгранные палочки 10 разных цветов и длиной от 1 до 10 см. палочки одинаковой длины выполнены в одном цвете и обозначают определенное число.чем длиннее ручка, тем большее числовое значение она выражает.
на визуальной основе, концепции цвета, формы, размера, числовой последовательности, числовой композиции, отношения «больше — меньше», «право — лево», «между», «длиннее», «выше», пространственное расположение и многое другое. больше формируется.
для начала подойдет упрощенный набор из 116 палочек и альбом для выкладывания палочек в него. пособие предназначено для детей от 2 до 9 лет.

набора «Школа семи гномов»
«Школа семи гномов» от рождения до поступления в школу (по 12 книг для каждого возраста).Учебные пособия разработаны в соответствии с современными образовательными стандартами и содержат полный спектр знаний, необходимых дошкольнику.
принцип: задания позволяют максимально полно учесть индивидуальные особенности ребенка, не ориентируясь только на возрастные рекомендации.
направления: развитие речи, логики и мышления, счета и формы, письма, грамотности, окружающего мира, уроки доброты, здоровья и др. В зависимости от возрастной категории меняется и тематика книг.
что вам нужно? нужно поработать с ребенком на пособиях «школы семи гномов». В каждой книге ШСГ есть родительская страница, где доступно не только о том, как работать с книгой, но и об особенностях развития ребенка этого возраста. Руководства просты в использовании и не требуют специальной подготовки. Задания в пособиях «Школа семи гномов» продуманы, лаконичны и взаимосвязаны. Практически в каждой книге есть картонный вкладыш с игрой, а в книжках для детей от 3 лет есть наклейки, которые подбадривают ребенка.
как это сделать. разноцветных гномика вам в этом помогут. вместе с младшим пурпурным гномом ребенок будет смотреть на понятные большие иллюстрации в книгах, озвучивать нарисованные, слушать детские стишки. тогда синий гном вступит во владение. годовалые малыши узнают новые слова, будут рисовать, играть, играть с фигурками разных форм, размеров и цветов. чем старше становится ребенок, тем интереснее и масштабнее его ждут задания. синий гном — работа с 2-3 летним ребенком, зеленый гном — 3-4 года, желтый гном — 4-5 лет, оранжевый гном — 5-6 лет, красный гном — 6-7 лет.
кому подходит. всех детей и всех родителей. «Школа семи гномов» активно используется на уроках в дошкольных учреждениях.
как можно адаптироваться. книги SHSG можно взять за основу, чтобы знать, чему мы должны научить ребенка в этом возрасте. Задания в книгах следует дополнять «живыми» играми и занятиями.

Материал к уроку.

Международная конференция по микро- и наноэлектронике 2014 | (2014) | Публикации

Показать аннотацию

В настоящее время некоторые из важных проблем при масштабировании технологических узлов микроэлектроники связаны с задержкой межсоединений, динамическим энергопотреблением и перекрестными помехами. Это требует внедрения и интеграции новых материалов с низкой диэлектрической проницаемостью (материалы с низким k) в качестве изолятора в межсоединениях.Одним из таких материалов, рассматриваемых для технологического узла менее 10 нм, является слой органосиликатного стекла с центрифугированием с упорядоченной пористостью (37-40%) и значением k 2,2 (OSG 2.2). Высокая пористость приводит к серьезным проблемам при интеграции, и одна из них — ухудшение качества материала во время плазменного травления. Образцы с низким k травились в двухчастотной плазменной камере CCP от TEL. Стандартные рецепты, разработанные для микропористых материалов с k <2,5 и основанные на смеси C4F8 и CF4 с N2, O2 и Ar, оказались значительно повреждающими для высокопористых материалов ULK.Стандартный рецепт травления сравнивался с химическим составом бескислородного травления на основе смеси CF4 с Ch3F2 и Ar, предполагая, что присутствие кислорода в первом рецепте будет иметь значительное негативное влияние на высокопористые материалы ULK. Повреждение пленки было проанализировано с помощью ИК-Фурье-спектроскопии, а значение k было извлечено путем измерения емкости с помощью CV. Косвенно было показано, что фотоны вакуумного ультрафиолета вызывают основной ущерб low-k, тогда как радикалы и ионы не так опасны. Структуры канавок были вытравлены на пленке с низким k, и был проведен кросс-SEM-анализ с погружением HF и без него, чтобы выявить возможность формирования рисунка и визуализировать повреждение боковой стенки и.Шероховатость дна анализировалась методом АСМ.

Показать аннотацию

Исследованы оптические, диэлектрические, термические и физико-механические свойства новых фторсодержащих алициклических полиимидов.Высокая оптическая прозрачность в видимом и ультрафиолетовом диапазонах пленок толщиной 10-25 мкм, нижняя граница которых регистрировалась при 125-260 нм; а также коэффициент отражательной способности 1,492–1,515. Диэлектрическая проницаемость характеризовалась низкими показателями и стабильностью до 300 ° С в зависимости от химического строения. Полиимиды стабильны при нагревании на воздухе до 320–380 ° С. Приготовленные пленки демонстрируют разрывное растяжение при 145 МПа с удлинением до 50% благодаря отличным пленкообразующим свойствам. Пленки на основе полиимидов с полианилиновым составом обладают показателем отражательной способности 1.60.

Показать аннотацию

Электрические свойства диэлектрической стопки на основе гафния характеризовались ВАХ и ВАХ до и после отжига.Наименьшая эквивалентная толщина оксида (EOT) была получена после PMA и составила 0,47 нм. Ток утечки для этого образца при напряжении на затворе 1 В составлял около 10 А / см ² . Плотность заряда в объеме high-k была чрезвычайно высокой (1,61 · 10 ¹⁸ см ^-3 ). Полученная плотность межфазного заряда равна умеренному значению 1.03 · 10 ¹² см ^-2 .

Показать аннотацию

Исследована кинетика кристаллизации в тонких пленках Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ , легированных Bi и Ti. Показано, что введение этих примесей может влиять на кинетические параметры процесса кристаллизации.Оценены возможные сроки записи и хранения устройств на основе исследованных материалов. Было показано, что GST225 + 0,5 мас. % Bi имеет лучшие характеристики среди изученных материалов. Расчеты показали, что этот состав может обеспечить время переключения ячеек памяти с фазовым переходом менее 1 нс и чрезвычайно стабилен при комнатных температурах, что важно для надежного хранения информации в ячейках памяти.

Показать аннотацию

Исследовано влияние легирования Bi на механизм переноса носителей заряда в тонких пленках GST225. Были установлены три области с разными вольт-амперными зависимостями. Проанализированы энергетические диаграммы для тонких пленок GST225, легированных Bi, для различных областей.Анализ экспериментальных данных показал, что ток, ограниченный пространственным зарядом, является наиболее вероятным объяснением нелинейной зависимости ВА в средней напряженности электрического поля (10 ³ 4 В / см). Положение уровней ловушек (Et), контролирующих механизм переноса, и плотность ловушек (Nt) оценивались с использованием теорий Роуза и Ламперта. Установлено, что легирование Bi может существенно изменять ВАХ, удельное сопротивление, щель подвижности, энергию Урбаха, распределение плотности локализованных состояний и энергию активации проводимости.Наиболее выраженное изменение ВАХ и параметров тонких пленок установлено для GST225 + 0,5 мас. % Bi. Таким образом, легирование Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ Bi расширяет диапазон свойств материала, что важно для оптимизации технологии ПКМ.

Показать аннотацию

Тонкие пленки сульфида меди и сульфида висмута были нанесены на подложку Si / Ti методом последовательной адсорбции ионного слоя и реакции при комнатной температуре с использованием хлорида меди, хлорида висмута, комплексообразующих водных растворов Na2EDTA и сульфида натрия в качестве прекурсоров.Морфология поверхности, структурные и электрические свойства осажденных пленок были исследованы с помощью сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, энергодисперсионного рентгеновского анализа (EDS) и методов 2-точечного зонда. Пленки оказались аморфными, шероховатыми, толщиной 30 нм и 20 нм для CuSx и BiSx соответственно. Среднее атомное процентное содержание Cu: S и Bi: S в осажденных пленках было рассчитано как 1: 1,5 и 2,3: 3. Было отмечено, что пленки обладают резистивной коммутационной способностью. Ионная проводимость пленки CuSx составила 25,8 · 10-3 Ом-1 · см-1.Ионная проводимость пленки BiSx составила 16 · 10-3 Ом-1 · см-1. Установленные напряжения UON, определенные по ВАХ, оказались в диапазоне 0,75-0,8 В / см для обеих пленок. Напряжения сброса UOFF оказались в диапазоне 0,6-0,7 В / см для обеих пленок. Таким образом, сформированные пленки можно использовать в качестве активных слоев для устройств памяти.

Показать аннотацию

Исследования перспективных материалов, используемых в качестве бессвинцовых припоев, ведутся давно. В этой связи особое внимание уделяется легкоплавким металлам и сплавам, однако поиск оптимальных систем все еще продолжается.Наиболее привлекательными являются системы Ag-Sn благодаря отличной электронной проводимости. Целью данной работы является разработка режимов электрохимического формирования слоев Ag-Sn необходимого состава на поверхности медной пластины, а также исследование влияния структурного состава Ag-Sn на термодинамические свойства в диапазоне температуры от комнатной до 500 ° С. В ходе исследования разработан комплекс рекомендаций по выбору подходящих электролитов для осаждения Sn и Ag, оптимальной плотности тока для получения качественного покрытия.На основании данных дифференциальной сканирующей калориметрии установлено, что системы Ag-Sn определенного состава обладают оптимальными характеристиками. Полученные результаты позволяют разработать методы формирования припоев с заданными термодинамическими характеристиками и установить температурные диапазоны устойчивости для применения в качестве систем металлизации. Начните аннотацию двумя строками под именами и адресами авторов. В аннотации резюмируются основные выводы, сделанные в статье.

Показать аннотацию

Исследование диффузии меди (Cu) в кремниевые подложки через многослойные диффузионные барьеры TaN _x и Ta / градиентный Ta (N) / TaN было исследовано на основе экспериментального подхода. Тонкие пленки TaN _x и Ta / градиентный Ta (N) / TaN осаждали магнетронным распылением в плазме аргона (Ar) и Ar-азот (N).Сообщается о влиянии парциального давления N ₂ на микроструктуру и электрические свойства. Эффективность слоев TaN _x и многослойных диффузионных барьеров Ta / градиентного Ta (N) / TaN была исследована после отжига при температурах от 300 до 600 ° C в Ar.

Показать аннотацию

Эта статья предлагает решение для получения слоев металлизации хорошего качества на полиимидной подложке с помощью магнетронного осаждения в вакууме. Различные структуры пленочного типа были проанализированы после операций рафинирования и активационной обработки поверхности.Положительный эффект показан после применения полиимидного лака для планаризации поверхности диэлектрической пленки и устранения дефектов структуры.

Показать аннотацию

Влияние атмосферной воды на наноструктурированный кремний (НСС) было исследовано методами ИК-спектроскопии и измерения работы выхода электронов. Обнаружена долговременная необратимая динамика ИК-спектров в результате воздействия 100% влажности на наноструктурированный кремний. Показано, что влажность воздуха влияет на работу выхода.Динамика работы выхода электрона состоит из обратимой и необратимой составляющих. Обратимый компонент проявляется как сильная антикорреляция между работой выхода и влажностью. Изменение работы выхода NSS составляет около 0,4 эВ, в то время как влажность изменяется от 0% до 100%. Обратимую составляющую можно объяснить физической сорбцией молекул воды на поверхности. Необратимый компонент проявляется как долгосрочная тенденция к снижению работы выхода во влажной атмосфере. Кривая перехода при резком изменении влажности меняет свою форму.Необратимый компонент можно объяснить хемосорбцией воды.

Показать аннотацию

Исследовано влияние сорбции и десорбции газа на эволюцию автоэмиссионного тока с катодов из углеродных нанотрубок.Были изготовлены два типа катодов из нанотрубок: нанотрубки, выращенные из газовой фазы на нержавеющей стали, и нанотрубки, нанесенные из раствора на подложку Si. Воздействие на катод воздуха при атмосферном давлении приводит к увеличению пускового тока с быстрым уменьшением. Мы связываем этот эффект обратимой деградации с какой-то полевой десорбцией. Сорбированные газы уменьшают работу выхода и, таким образом, увеличивают ток эмиссии. Различные газы по-разному влияют на текущее поведение. Процесс десорбции мы наблюдали при низких значениях поля ~ 10 ⁴ −10 ⁵ В / см.

Показать аннотацию

В данной работе исследуется процесс плазменно-химического осаждения из паровой фазы (PECVD) углеродных наноструктур в виде пленки, столбов, чешуек при температуре 100-350 ° C из парогазовой смеси h3 + CO +. Ar.Также в статье представлены структурные особенности углеродных наностолбиков, полученных при 250 ° C. Определены механические напряжения, возникающие при росте углеродных наноструктур. Исследованы особенности роста углеродных столбов и предложено феноменологическое описание процесса их образования в процессе PECVD.

Показать аннотацию

В данной работе мы исследовали формирование массива кластеров серебра и золота на ненагреваемой тонкопленочной подложке из аморфного углерода путем вакуумно-термического испарения небольшого количества материала. В базовых экспериментах из навески 0 готовили две серии образцов разной толщины (1-20 нм).6-11 мг, расстояние между испарителем и поверхностью осаждения составляло 20 см. Исследование образцов обеих серий методом ПЭМ показало существенную зависимость размера частиц и плотности их расположения на поверхности от количества конденсирующихся Ag и Au или от виртуальной толщины пленки. Интересные результаты, полученные в работе, легли в основу модели, которая расширяет понимание процессов конденсации, зарождения и роста кристаллической фазы из газовой фазы.

Показать аннотацию

Отжиг в печи и импульсная лазерная обработка, включая наносекундную лазерную обработку (длина волны KrF-лазера 248 нм, длительность импульса 20 нс и XeCl-лазер с длиной волны 308 нм, длительность импульса 10 нс) и фемтосекундные лазерные обработки (лазер Тисапфир, длина волны 800 нм, импульс <30 фс длительность) применялись для кристаллизации пленок аморфного гидрированного кремния, пленок SiO _x и многослойных наноструктур.Наплавленные и отожженные структуры исследовали оптическими методами и методами электронной микроскопии. Исследовано влияние примесей на кристаллизацию и образование нанокластеров Si. Найдены режимы импульсной лазерной кристаллизации нанокластеров и нанослоев аморфного Si. Разработанный подход может быть использован для создания диэлектрических пленок с полупроводниковыми нанокластерами на негорючих подложках.

Показать аннотацию

Структуры на основе пленок гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si: H), нанесенных на различные подложки (в том числе и не тугоплавкие), широко применяются в устройствах гигантской микроэлектроники, таких как плоские дисплеи на основе тонкопленочных транзисторов с активной матрицей и солнечные элементы.Пленки a-Si: H, полученные методами плазменного химического осаждения из паровой фазы (PECVD), содержат до 40% атомов водорода. Важное значение имеет влияние водорода на оптические и электрические свойства пленок и их деградацию. Поэтому разработка экспрессных и неразрушающих методов контроля концентрации водорода в тонких пленках до сих пор остается актуальной задачей. Ранее, из сравнительного анализа инфракрасной (ИК) спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света, отношения интегральных интенсивностей пиков комбинационного рассеяния, вызванного рассеянием на колебаниях связей Si-H и Si-h3, к интенсивности пика комбинационного рассеяния Si -Si связи определены экспериментально.Зная эти отношения, можно измерить концентрацию водорода, причем отдельно в состояниях Si-H и Si-h3. Предлагаемый количественный метод определения концентрации водорода на основе анализа спектров комбинационного рассеяния света является экспрессным неразрушающим методом и может использоваться для контроля содержания водорода «на месте». Целью данной работы было определение поляризационной зависимости комбинационного рассеяния на валентных колебаниях связей Si-H и определение вида соответствующих тензоров комбинационного рассеяния света.Из анализа интенсивностей комбинационного рассеяния света в различных поляризациях были определены тензоры комбинационного рассеяния для связей Si-H и Si-H ₂ . Найдены режимы дегидрирования толстых (до 1 мкм) пленок a-Si: H. Наносекундный импульсный XeCl-лазер с длиной волны 308 нм и длительностью импульса 10 нс использовался для импульсной кристаллизации как осажденных, так и дегидрированных пленок. Как было исследовано ранее, для пленок a-Si: H с высокой концентрацией водорода порог кристаллизации очень близок к порогу лазерной абляции.В результате представленных исследований было получено, что для импульсной лазерной кристаллизации пленок a-Si: H без повреждений и образования пузырей водорода оптимальная концентрация водорода должна быть не выше 10-15%. Разработанные подходы могут быть использованы для кристаллизации пленок a-Si: H и наноструктур на их основе, нанесенных на неогнеупорные подложки.

Показать аннотацию

В настоящей работе изучено влияние параметров процесса анодирования на геометрические параметры ПАОТ для оптимизации и повышения эффективности ЭТА-ячейки. В ходе расчетов получены оптимальные геометрические параметры. Для этого исследования были выбраны такие параметры, как плотность тока анодирования, состав и температура электролита, а также время процесса анодного окисления.При использовании оптимизированного слоя фотоэлектрода TiO2 с толщиной пористого слоя 3,6 мкм и диаметром пор более 80 нм эффективность ЭТА-ячейки была увеличена в 3 раза по сравнению с ненаноструктурированным фотоэлектродом Ti _O2 .

Показать аннотацию

Изучены особенности формирования пленок многокомпонентных сульфидов металлов (Cu2ZnSnS4 и Cu2SnS3), сформированных различными методами SILAR-технологии. С использованием различных методов исследования проведен сравнительный анализ свойств и состава пленок.Образование многокомпонентной пленки в смешанном катионном растворе сопровождается дополнительными процессами в растворе и появлением комплексных соединений. Этот фактор оказывает сильное влияние на состав и чистоту формируемых пленок. Получены характеристики тестовых структур солнечных элементов с ультратонким поглощающим слоем на основе Cu2ZnSnS4 и Cu2SnS3. Необходимо ввести прослойку и более тщательно изучить состав и границу раздела поглощающего слоя.

Показать аннотацию

В данной работе представлены некоторые новые результаты, касающиеся механизма, характеристик и возможности предложенного авторами прямого метода формирования изображения в некоторых позитивных резистах непосредственно при экспонировании электронным пучком в вакууме (сухой метод электронно-лучевого травления резиста — метод DEBER ).На примере резиста из ПММА было показано, в частности, что метод DEBER очень удобен для получения рельефных микро- и наноструктур с округлым профилем поперечного сечения (включая сферический, асферический, синусоидальный и т. Д.) В резисте из ПММА. Приведены примеры влияния условий процесса на форму получаемых рельефных структур. Примеры приведены для получения пространственных 3D-структур с хорошей точностью по оси Z и с хорошей шероховатостью поверхности. В целом, по мнению авторов, представленные данные указывают на значительные возможности применения метода DEBER, в частности для изготовления элементов оптоэлектроники (дифракционных решеток, микролинз, фокусеров, оптических волноводов, просветляющих покрытий и др.).).

Показать аннотацию

Описаны конструкция и основные характеристики высокоэффективных источников быстрых нейтральных пучков на основе ионных источников с холодным катодом и замкнутым дрейфом электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях.Выходной луч практически на 100% нейтрален и имеет низкий уровень расходимости (<5º), что обеспечивает транспортировку нейтральных лучей на большие расстояния. Приведены результаты травления Si, SiO ₂ , W, NbN, TiN и TiC с использованием рабочих газов Ar, C _F4 , C3F ₈ и SF ₆ . Представлены предварительные результаты для эффекта уменьшения встроенного заряда на границе Si / SiO ₂ при обработке нейтральным пучком.

Показать аннотацию

Во время анализа отказов интегральных схем (ИС) часто бывает необходимо иметь возможность осмотреть поверхность кристалла. Но современные технологии обработки ИС часто предусматривают объединение нескольких перекрывающихся штампов в одном корпусе (тип корпуса 3D).В этом случае верхний штамп затрудняет доступ к нижнему штампу. Таким образом, актуален поиск методик, дающих возможность осматривать поверхность каждого штампа. В настоящей работе рассмотрены подходы к разделению кристаллов, основанные на воздействии дымящей азотной кислоты (FNA) и температурном цикле IC. Эксперименты, проведенные на флеш-накопителе емкостью 32 ГБ, показали возможность применения указанных подходов к развязке кристалла.

Показать аннотацию

Во время анализа отказов современных интегральных схем может потребоваться проведение исследований, включая анализ топологии кристалла и ввода электрических сигналов на его контактные площадки. Однако при доступе к матрице контактные площадки могут быть повреждены по разным причинам.В данной работе обсуждаются несколько типов поврежденных контактных площадок и экспериментальные исследования по их восстановлению электрохимическим осаждением серебра и меди.

Показать аннотацию

Настоящая работа посвящена исследованию процесса заточки игл с использованием расфокусированного ионного пучка. Группа кантилеверов размещалась на кремниевой подложке. Установлено, что метод позволяет одновременно затачивать наконечники кремниевых кантилеверов, размещенных на Si-подложках диаметром 200 мм. Текущая работа дает информацию об эффективности модифицированных консолей.

Показать аннотацию

Молекулярные одноэлектронные транзисторы на основе малых (2–4 нм) наночастиц золота были изготовлены с использованием электронно-лучевой литографии и метода электромиграции.Электрические характеристики полученных транзисторов измерены при 77 и 300 К. Характеристики показывают, что режим коррелированного туннелирования электронов реализовывался при столь высоких для технологических температур температурах.

Показать аннотацию

В этой статье мы изучаем переходную и стационарную фотопроводимость полупроводниковых нанопроволок, подчеркивая важность поверхностной рекомбинации в формировании фототока.Феноменологическая модель, основанная на существовании радиуса и зависящего от времени изгиба поверхностных зон, способна объяснить как темновую проводимость, так и динамику переходных процессов фотопроводимости в полупроводниковых нанопроводах. Зависимость изменения высоты поверхностного рекомбинационного барьера от захвата носителей заряда поверхностными состояниями приводит к неэкспоненциальному характеру кинетики фотопроводимости. Получены аналитические уравнения для расчета вольт-амперных и люкс-амперных характеристик, релаксации фототока и усиления при возбуждении световыми импульсами.Аналитические результаты сравниваются с экспериментальными данными.

Показать аннотацию

В контексте задач всепогодного слежения за удаленными космическими объектами здесь представлены шесть оригинальных схем регистрации дальнего инфракрасного излучения, которые по чувствительности приближаются к уровню, позволяющему использовать их в режиме счета фотонов.Первый представляет собой модернизированный вариант повышающего преобразователя (с размещением нелинейного кристалла / смесителя внутри резонатора в едином лазерном блоке) для передачи фотонов дальнего инфракрасного диапазона в видимом диапазоне, где возможен счет фотонов через PMT или APD. Вторая схема регистрации дальнего ИК-диапазона основана на прямом смещении светодиода при токе, которого еще недостаточно для генерации излучения. Эксперименты позволили наблюдать фотоотклик такой системы на красную границу внутреннего фотоэффекта.Следующие три схемы являются криогенными. И последний — это повышающий преобразователь, в котором вместо классического перемешивания на нелинейном кристалле используется квантовый эффект высвобождения энергии метастабильного состояния под действием квантов дальнего инфракрасного излучения.

Показать аннотацию

Метод обнаружения коротких скалярных гравитационных волн с длиной волны λ ~ 0.Предлагается 5 мкм, в отличие от проекта LIGO, направленного на обнаружение длинных квадрупольных гравитационных волн (λ ~ 43 ÷ 10000 км). Электроны проводимости в металле предлагается использовать в качестве гравитационных приемных антенн вместо массивных маятников. Показано, что с помощью крупномасштабной металлической дифракционной решетки можно преобразовать механические колебания электронов проводимости металла в плоскую электромагнитную волну, распространяющуюся по нормали к решетке. Показано, что когда амплитуда скалярной гравитационной волны в источнике (в квазаре в центре нашей галактики) больше, чем A _go ≈ 5 1020 см / ^s2 , вы можете зарегистрировать ее с помощью большого оптический телескоп с предложенной дифракционной решеткой.Показано, что специальная теория относительности допускает, что амплитуда скалярных гравитационных волн в этом источнике на 5 порядков превышает указанное минимальное значение.

Показать аннотацию

Приведены результаты разработки приводной установки для микромеханического фрикционного вакуумметра. Для управления микромеханическим преобразователем использовался пилообразный сигнал из-за его хорошей повторяемости и возможности автоматической работы. Разработана и внедрена специализированная коммутационная плата для возбуждения резонатора и обработки выходного сигнала.Экспериментальная установка, состоящая из ПК, электрической коммутационной платы и осциллографа, использовалась для исследования затухающих и сверхзатухающих колебаний. Исследование показывает стабильную повторяемость процедуры вождения. Собственная частота резонатора согласуется с расчетным значением и подтверждает соответствие колебаний основной моде. Результаты могут быть использованы для создания микромеханических фрикционных вакуумметров.

Показать аннотацию

В этой статье описывается применение электроимпедансной томографии (EIT) для разработки датчика поверхностных дефектов, который может использоваться для мониторинга состояния конструкций (таких как опора моста, планер и т. Д.). На структурную поверхность наносится тонкая проводящая пленка с электродами по ее границам в виде сенсорной кожи.Используя соответствующие измерения граничного потенциала и величину приложенного тока, были решены как прямая, так и обратная задача EIT, и был создан метод обнаружения дефектов в тонкой проводящей пленке. Этот метод позволяет рассчитать двумерное распределение проводимости в пленке (карту проводимости) и, косвенно, распределение в ней дефектов. Предложены критерий эффективности дефекта реконструкции и методика его расчета. Исследовано влияние нарушения исходных данных (неоднородной проводимости пленки как ее шероховатости) на эффективность дефектов реконструкции без использования всех комбинаций токовых электродов.

Показать аннотацию

МЭМС-переключатель с электростатическим срабатыванием и резистивным контактом изготовлен с использованием поверхностной микрообработки.Подвижный электрод переключателя представлял собой трехслойный металлический кантилевер, имеющий наноразмерную толщину и высокое отношение длины к толщине. Малая жесткость кантилевера позволила приблизиться к относительно низким значениям напряжения срабатывания. Проведен теоретический анализ и экспериментальное исследование коммутационных характеристик.

Показать аннотацию

Моделируется плазменная иммерсионная ионная имплантация в ребра и траншеи при повышенном давлении. В данной работе мы рассчитываем распределение концентрации бора в образце с учетом рассеяния ионов в плазменном слое и эффектов геометрического затенения (ионы при определенном угле падения не могли попасть в затененную часть стенки и дна желоба).Сначала получают энергетическое и угловое распределение ионов, прошедших через плазменный слой к поверхности образца. Эти данные используются для расчета распределения концентрации бора в образце. Диапазон давлений 30-300 мТорр, температура электронов плазмы 5 эВ, плотность плазмы 10 ¹⁰ -10 ¹² см ^-3 . Степень соответствия увеличивается с ростом давления и уменьшается с увеличением плотности плазмы.

Показать аннотацию

Мы предлагаем подход к моделированию анодирования тонкой алюминиевой пленки в трех измерениях с использованием изменения связанной карты решетки на объемной сетке, которая способна фиксировать режимы роста пористого и непористого оксида алюминия и электрохимического полирования.Вывод модели основан на понимании Пархутика и Шершульского. Приведены результаты численного моделирования для различных начальных условий и проведено сравнение с экспериментальными данными.

Показать аннотацию

Исследована роль поверхностных процессов в развитии динамики электрохимических реакций кремния с фторсодержащими электролитами при порообразовании в кремниевой матрице, что необходимо для технологий поверхностного и объемного наноструктурирования. Показано, что процессы перезарядки между средами через поверхность ответственны за наблюдаемые режимы анодирования: стабильный, колебательный и хаотический.Предлагаемый подход позволяет объяснить режим анодирования как связанный с синхронизированным изменением формы пор и глобальными колебательными процессами в системе кремний / электролит. На основе компьютерного моделирования и анализа экспериментальных результатов показано существование режимов порообразования в системе кремний / электролит, которые контролируются доставкой дырок на поверхность. Построена компьютерная модель, описывающая образование пористых кластеров в полупроводниковых кристаллах кремния.Было показано, что существует особый режим, связанный с переносом дырок. Он описывается уравнениями, которые масштабно инвариантны относительно аффинных преобразований. Образовавшиеся в этих условиях пористые кластеры обладают свойством самоподобного фрактала.

Показать аннотацию

Предложен общий подход к получению вольт-амперных характеристик как для полевых, так и для биполярных транзисторов, основанный на точном решении уравнения неразрывности тока в диффузионно-дрейфовом приближении с учетом неоднородности распределения электрического поля и плотности заряда между контактами. Этот подход унифицированным образом описывает как линейную, так и насыщающую части I-V характеристик полевого МОП-транзистора как для скоростного насыщения, так и для случаев электростатического эффекта отсечки.Также было показано, что такая же расчетная формула подходит для описания ВАХ биполярных транзисторов.

Показать аннотацию

Построена и проанализирована двумерная модель объединенного MOSFET (MMOS), нового многозатворного устройства с амбиполярной проводимостью.Рассмотрены два варианта MMOS (тонкий и толстый канал). В первом случае можно рассчитать распределение потенциала в канале, а зависимость электронного и дырочного токов от управляющих напряжений выразить в экспоненциальных интегральных функциях. Во втором случае необходимо решить трансцендентные уравнения, чтобы получить потенциал в объеме канала. Получены уравнения для определения токов в упрощенных условиях. Приведены примеры входных, выходных и передаточных характеристик MMOS.

Показать аннотацию

Выполнено ансамблевое моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов и дырок в глубоких субмикронных n-канальных КНИ МОП-транзисторах с длиной канала 100 нм.В рамках модели ударной ионизации Келдыша исследовано влияние процесса межзонной ударной ионизации на характеристики транзистора. Рассчитана эффективная пороговая энергия ионизации электронным ударом как параметр, характеризующий процесс. Определена зависимость эффективной пороговой энергии от смещения стока.

Показать аннотацию

Предложена физико-топологическая модель инжекционных лазеров с функционально интегрированными модуляторами оптического излучения, позволяющая проводить численный анализ переходных процессов в лазерах-модуляторах с учетом дополнительного поля перекрестного управления и нерегулярного пространственного распределения электронов, дырок и фотонов.Представлены результаты численного моделирования традиционных лазеров на двойных гетероструктурах и функционально-интегрированных лазеров-модуляторов. Проанализированы результаты численного моделирования и пределы применимости предложенной модели.

Показать аннотацию

Постоянно возрастающая сложность оптоэлектронных устройств и растущие требования к точности моделирования приводят к необходимости решения очень больших систем линейных уравнений, что делает итерационные методы перспективными и привлекательными с вычислительной точки зрения по сравнению с прямыми методами.В частности, итерационный подход потенциально позволяет сократить время вычислений, необходимое для решения уравнений Максвелла с помощью алгоритмов расширения собственных мод. Независимо от конкретного используемого метода нахождения собственных мод, коэффициенты разложения вычисляются, как правило, с помощью подхода матрицы рассеяния (S-матрицы) или аналогичных методов, требующих порядка M ³ операций. В этой работе мы рассматриваем альтернативы методике S-матрицы, основанные на чистом итерационном или смешанном прямо-итерационном подходе.Обсуждается возможность уменьшить влияние вычислений порядка M ³ на общее время, а в некоторых случаях даже уменьшить количество арифметических операций до M ² за счет применения итерационных методов. Проиллюстрированы численные результаты, чтобы обсудить обоснованность и потенциальные возможности предлагаемых подходов.

Показать аннотацию

Проводящие среды с пространственной дисперсией можно формально описать одиночным оператором — оператором диэлектрической проницаемости, который полностью определяет СВЧ-отклик проводников с пространственной дисперсией.Таким образом, проблема собственных значений для оператора диэлектрической проницаемости проводников и сверхпроводников, обладающих сильной пространственной дисперсией при низких температурах, имеет большое значение, поскольку соответствующие решения являются устойчивыми волнами для основного уравнения в самосогласованном микроволновом поле. Здесь формулируется волновая задача для поиска решений, соответствующих собственным значениям оператора диэлектрической проницаемости, аналогично соотношению и получаются общие решения. Значительная роль сопряжена с пространственным типом.Получены дисперсионные соотношения и общие решения. Рассмотрена значительная роль силовых резонансов пространственного типа. Получены условия пространственных резонансов. Полученные резонансы включают частные решения, соответствующие связанной с поляризацией, два из которых соответствуют волнам с амплитудой, возрастающей в глубину проводника, а еще два описывают решения с необычными свойствами.

Показать аннотацию

В статье описаны результаты моделирования различных устройств на основе углеродных нанотрубок (УНТ) и графена. Предложена комбинированная численная модель гибридных интегральных структур, включающих резонансный туннельный диод и полевой транзистор (RTD-FET). Моделирование RTD-FET на основе УНТ разного типа (хиральности) проводилось с использованием разработанной модели.Разработана методика экспресс-моделирования нанорадио на основе УНТ типа I (на основе только одиночной УНТ) и типа II (гибридное радио). Предлагаемые модели могут быть использованы для расчета таких характеристик нанорадио: 1) резонансная частота УНТ; 2) амплитуда колебаний СНТ; 3) IV-характеристики УНТ в зависимости от различных факторов. В статье приведены результаты моделирования устройства на основе одностенных и многостенных УНТ. Рассчитаны ВАХ наноразмерной резонансной туннельной структуры на основе графена на SiC.Также было исследовано влияние различных параметров на электрические характеристики наноструктур на основе графена.

Показать аннотацию

В статье представлена ​​методика оценки устойчивости комбинационных схем к единичным переходным процессам (SET).Методика предоставляет средства для анализа вклада каждого узла в общий допуск SET схемы. Программный инструмент рассчитывает критический заряд каждого узла схемы, обрабатывает собранные данные и отображает их в редакторе схем. Методика не зависит от технологии, ее можно применять в наноразмерных технологиях.

Показать аннотацию

Изучается и моделируется деструктивный однократный разрыв затвора (SEGR), возникающий в оксидах затвора силовых полевых МОП-транзисторов под воздействием тяжелых ионов. Сечение SEGR силового полевого МОП-транзистора с толщиной оксида 70 нм как функция напряжения на затворе было измерено для четырех типов тяжелых ионов.Формула прогнозирования для поперечного сечения SEGR выводится и проверяется. Эта формула может использоваться в качестве инструмента прогнозирования для вычисления вероятности выживания в заданном спектре тяжелых ионов в космической среде.

Показать аннотацию

Показано, что наблюдаемое немонотонное поведение деградации дозы в биполярных устройствах может быть объяснено в рамках нелинейной системы кинетических уравнений для захваченного оксида заряда и поверхностных центров рекомбинации. Было показано, что предложенная ранее физическая модель повышенной чувствительности при низкой мощности дозы (ELDRS) полностью согласуется с экспериментальной температурной зависимостью выхода заряда в толстых оксидах для диапазона низких температур.

Показать аннотацию

В данной статье представлены результаты исследования линейной антиферромагнитной спиновой цепочки с одноосной анизотропией (XXZ– модель), помещенной в поперечное магнитное поле, направленное вдоль оси анизотропии цепочки с постоянным градиентом вдоль цепочки.Спиновый гамильтониан для состояний, близких к основному, записан в спин-волновом приближении. Он был диагонализован асимптотическим разложением по малому параметру, описывающему величину градиента поля. Локальная энергия основного состояния и приведенная матрица плотности квантовых состояний для выбранной пары спинов в цепочке рассмотрены в щелевом и бесщелевом случаях. Также обнаружены локальная спиновая поляризация и локальный тороидальный магнитный момент. Исследована локальная парная запутанность квантовых состояний как характеристика квантовых корреляций в спиновой цепочке.

Показать аннотацию

Изучены квантовые свойства динамических корреляций в системе электронного спина, окруженного ядерными спинами, в условиях свободного индукционного распада (ССП) и спинового эха.В рамках модели центрального спина в высокотемпературном приближении получены аналитические результаты для временной эволюции взаимной информации, классической части корреляций и квантовой части, характеризующейся квантовым дискордом. Одни и те же формулы описывают квантовый дискорд как в СИД, так и в спиновом эхо, хотя вид зависимостей различается из-за различия параметров, входящих в формулы. Дискорд спинового эха по сравнению с FID имеет сильную зависимость от времени на коротких временах и стремится к нулю с уменьшением магнитного поля, тогда как в случае FID он выходит на плато.

Показать аннотацию

Мы обсуждаем возможность восстановления и измерения состояния поляризации на расстоянии более 302 км с помощью сверхпроводящих однофотонных детекторов (SSPD).Из-за превосходных характеристик и возможности эффективного подключения к одномодовому оптическому волокну уже сообщалось о многих применениях SSPD. Самым впечатляющим из них является квантовое распределение ключей (QKD) на расстоянии 250 км. Эта демонстрация показывает дальнейшие возможности для улучшения характеристик квантово-криптографических систем, таких как увеличение скорости передачи и длины квантового канала, а также уменьшение коэффициента квантовых битовых ошибок (QBER). Такое улучшение возможно благодаря тому, что SSPD имеют лучшие характеристики по сравнению с другими детекторами одиночных фотонов.Продемонстрирована возможность реконструкции и измерения состояния поляризации на расстоянии более 302,5 км с помощью сверхпроводящих однофотонных детекторов. Преимущество оптической схемы с автокомпенсацией, также известной как «plugandplay» для квантового распределения ключей, заключается в высокой стабильности при наличии искажений вдоль линии. Чтобы увеличить расстояние квантового распределения ключей с этой оптической схемой, мы реализуем сверхпроводящие детекторы одиночных фотонов (SSPD). При частоте следования импульсов 5 МГц и среднем количестве фотонов 0.4 мы измерили генерацию квантового ключа 33 бит / с для одномодового квантового канала длиной 101,7 км. Чрезвычайно низкая скорость темнового счета SSPD позволила нам сохранить QBER на уровне 1,6%.

Показать аннотацию

Предложены структура и элементы технологии изготовления алмазного чипа, которые могут быть использованы для экспериментального исследования спектральных и динамических свойств прототипа квантового регистра, образованного цепочкой микрорезонаторов (дисков и колец), содержащих NV-центры.Используя параметры существующих на сегодняшний день NV-систем, мы моделируем динамику диссипативной заселенности двух NV-центров, расположенных в разных частях двухкубитного регистра. Как следует из наших численных результатов, высокая вероятность управляемого непрямого взаимодействия кубита посредством передачи фотона от одного центра к другому может быть достигнута уже на современном уровне технологии алмазной фотоники. Расчетные параметры работы резонаторов и измерительной конструкции (решетки) хорошо согласуются с теми, которые использовались в приборах, созданных ведущими мировыми научными коллективами.Обсуждается технология изготовления литографической маски и оценивается ее шероховатость.

Показать аннотацию

Рассмотрены три различных уровня моделирования зашумленных квантовых схем: векторы, матрицы плотности и состояния, связанные с Чой-Ямиолковским. Описаны реализации для персональных компьютеров и суперкомпьютеров и показаны соответствующие результаты. Для уровня матриц плотности мы представляем технику аппроксимации фиксированного ранга и показываем некоторые аналитические оценки уровня точности.

Показать аннотацию

Рассмотрено влияние амплитудной и фазовой релаксации на эволюцию квантовых состояний в рамках формализма квантовых операций.Исследуется модель поляризующих кубитов, в которой шумы определяются наличием спектральной степени свободы, проявляющейся при распространении света внутри анизотропных сред с дисперсией. Предложена приближенная аналитическая модель для расчета влияния фазовой пластинки на поляризующее состояние с учетом влияния дисперсии.

Показать аннотацию

Мы разработали метод дополнения произвольной классической динамической системы к квантовой системе на примерах систем Лоренца и Ресслера. Уравнение Шредингера для соответствующего квантово-статистического ансамбля описывается в терминах формализма Гамильтона-Якоби. Мы рассматриваем как исходную динамическую систему в координатном пространстве, так и сопряженную динамическую систему, соответствующую импульсному пространству.Такое одновременное рассмотрение взаимодополняющих систем координат и импульсов обеспечивает более глубокое понимание природы хаотического поведения в динамических системах. Мы показали, что новый формализм существенно упрощает вычисление показателей Ляпунова. С точки зрения квантовой оптики системы Лоренца и Ресслера соответствуют трем модам квантованного электромагнитного поля в среде с кубической нелинейностью. С вычислительной точки зрения новый формализм обеспечивает основу для анализа сложных динамических систем с помощью квантовых компьютеров.

Показать аннотацию

Показано применение оценщика корневой плотности к задачам статистического анализа данных.Рассмотрены четыре набора базисных функций, основанные на полиномах Чебышева-Эрмита, Лагерра, Кравчука и Шарлье. Наборы могут быть использованы для численного анализа в задачах восстановления статистических распределений по экспериментальным данным. Основываясь на корневом подходе к реконструкции статистических распределений и квантовых состояний, мы изучаем семейство статистических распределений, в которых плотность вероятности является произведением гауссова распределения и полинома четной степени. Приведены примеры численного моделирования.

Показать аннотацию

Конечные фреймы имеют множество приложений в квантовой информатике, коммуникации, теории кодирования и других областях.В этой статье мы исследуем их использование в квантовой томографии. Семейство векторов, составляющих рамку, можно использовать для определения протокола квантовой томографии. Для этого оцениваются вероятности проективных измерений квантовых состояний, соответствующих векторам системы отсчета. Затем исследуемое состояние может быть восстановлено одним из нескольких методов квантовой томографии. Поскольку производительность квантовой томографии во многом зависит от выбора протокола, проблема поиска оптимального протокола представляет значительный интерес.Мы изучаем семейство единиц нормальных рам, состоящих из числовых решений, для решения проблемы пакетной упаковки в сложном пространстве. Заметными членами этого семейства являются взаимно несмещенные базисы (MUBs), которые были вычислены во всех исследованных измерениях простой степени, а также симметричные информационно-полные положительные операто-оценочные меры (SIC-POVM) во всех измерениях. Это семейство содержит другие однородные жесткие фреймы, в которых количество векторов находится между полными наборами взаимно несмещенных баз и симметричных информационно полных POVM, и все они имеют одинаковую внутреннюю структуру.Мы подробно описываем некоторые свойства этих кадров и их работу в качестве протоколов квантовой томографии.

Показать аннотацию

Мы описываем подход к квантовому компьютеру, вдохновленный обработкой информации на молекулярном уровне в живых клетках.Он основан на разделении небольшого ансамбля кубитов внутри живой системы (например, бактериальной клетки) таким образом, что когерентные квантовые состояния этого ансамбля остаются практически неизменными в течение длительного времени. Мы используем понятие квантового ядра для описания такого ансамбля. Квантовое ядро ​​не связано строго с определенными частицами; он постоянно обменивается атомами и молекулами с окружающей средой, что делает квантовое ядро ​​виртуальным понятием. Есть много причин ожидать, что состояние квантового ядра живой системы можно рассматривать как стационарное состояние некоторого гамильтониана.В то время как квантовое ядро ​​отвечает за стабильность динамики на временной шкале клеточной жизни, на более длительной временной шкале между поколениями оно может меняться, плавно изменяясь в ходе биологической эволюции. На первом уровне приближения квантовое ядро ​​можно описать в рамках кубитовой модификации модели Джейнса-Каммингса-Хаббарда, в которой релаксация соответствует обмену веществом между квантовым ядром и остальной частью ячейки и представлена ​​как Линдблад супер-операторы.

CO Организатор встреч EGU2017

РусАвтоКон